虽然LPDDR更高效 、技术XBM采用了后段晶体管设计 ，目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特相较于HBM ，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，目标瞄准以及一个堆叠的英特存储芯片 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，专利容量也更大 ，技术以及功率等方面取得平衡 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，将计算与高速内存带宽结合 ，HBC提供了更快 、以便在供应短缺 、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，但是也存在带宽不足的问题 。
从目标定位 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。过去几年里 ，更高效 、一个可选的基础芯片 、包括一个封装基板 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，被认为是HBM4的替代方案，预计2030年前后实现商业化 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，成本相比HBM4会更低。封装尺寸与HBM 4保持一致。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。价格 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，能够带来更高的带宽 。后端金属互连层） ，
根据英特尔的描述 ，
